我们可为客户定制各类微波毫米波芯片产品。现有的几款高功率及中功率放大器芯片均采用0.15um pHEMT工艺，主要覆盖Ka波段。 

1、Ka波段2W功放芯片
• 频率范围: 31.5 – 37GHz
• 33.5dBm Nominal Psat @ 35 GHz, Vds=6V
• 33.0 dBm P1dB @ 35 GHz,Vds=6V
• 21 dB Nominal Power Gain @35 GHz
• 典型偏置电压: Vd=5.5,6 V @ Vg=-0.7V
• 0.15 um pHEMT 工艺
• 芯片尺寸: 4.766 x 3.703 x 0.10 mm3
2、Ka波段1W功放芯片
• 频率范围: 31.5 – 37GHz
• 30.8 dBm Nominal Psat @ 35 GHz,Vds=6V
• 30.0 dBm P1dB @ 35 GHz,Vds=6V
• 21 dB Nominal Power Gain @35 GHz
• 典型偏置电压: Vd=5.5,6 V @ Vg=-0.70V
• 采用0.15 um pHEMT 工艺
• 芯片尺寸: 3.975 x 1.992 x 0.10 mm3
3、K~Q波段中等功率功放芯片
• 频率范围为17GHz到43GHz。
• 平均增益为25dB
• P1dB输出功率在22dBm以上.
• 作为二倍频器的工作频率输入频率范围为：9GHz到22GHz,其输出功率大于15dBm,最大可达到20dBm。
• 作为三倍频器的输入工作频率范围为6GHz到14GHz其输出功率大于5dBm，最大可以到15dBm。
• 采用0.15um GaAs PHEMT工艺
• 可作为K波段到Q波段通信系统和雷达系统的中等功率放大器以及驱动放大器。