XS1000-BD
7.0 – 13.0 GHz 砷化镓6位移相器
M / A-COM亚洲的7.0 - 13.0 GHz的数字控制移相器，具有6位材质和5.625°的LSB。该器件采用单电源供电，供电电压为-7.5V。
0〜5V的数字式控制电压。该芯片采用M/A-COM亚洲的砷化镓PHEMT器件技术，基于光学栅极蚀刻，以确保高重复性和一致性。该芯片进行了表面钝化保护，在背面通孔和镀金部分进行了加固处理，无论是传导环氧或共晶焊接裸片的过程更为方便。该器件非常适合用于波束形成，电子对抗接收机，军事及气象雷达，以及卫星通信应用。
产品性能：
- 6-Bit Phase Shifter
- LVCMOS/TTL Compatible Digital Control
- 5.625° Least Significant Bit (LSB)
- 25 dBm P1dB Input Compression
- 100% On-Wafer RF and DC Testing
- •100% Visual Inspection to MIL-STD-883 Method 2010
