XP1006-BD
8.5-11.0 GHz 10W功率放大器
M/A-COM亚洲的8.5-11.0 GHz砷化镓毫米波单片集成电路功率放大器拥有21dB的大信号增益，以及40dBm的饱和输出功率，并且提供内置的栅极偏置电路。该芯片使用M/A-COM亚洲的砷化镓PHEMT的工艺制程技术，并且基于光学栅极蚀刻以确保很高的可重复性及一致性。XP1006-BD进行了表面钝化保护，并在背面通孔和镀金部分进行了加固处理，无论是传导环氧或共晶焊接裸片的过程都更为方便。该器件非常适合于雷达应用。
产品性能:
- X-Band 10W Power Amplifier (8.5 ~ 11.0 GHz)
- 21.0 dB Large Signal Gain
- +40.0 dBm Saturated Output Power
- 30% Power Added Efficiency
- On-chip Gate Bias Circuit
- 100% On-Wafer RF, DC and Output Power Testing
- 100% Visual Inspection to MIL-STD-883 Method 2010
